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IRF9956
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRF9956

停产
采用 SO-8 封装的 30V 双 N 沟道功率 MOSFET
封装

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IRF9956
IRF9956

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    3.5 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2 W
  • Qgd (typ)
    1.8 nC
  • QG (typ @10V)
    6.9 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    100 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    200 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最低 VGS(th)
    1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SO-8
  • 极性
    N+N, N+N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
IRF9956TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
SO8
封装名 SO-8
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100KHz 的应用进行了硅优化
  • 行业标准表面贴装功率封装

产品优势

  • 增强坚固性
  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 支持多种应用程序
  • 标准引脚排列允许直接替换

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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