IRFB59N10D
已淘汰
符合RoHS标准

IRFB59N10D

采用 TO-220AB 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFB59N10D
IRFB59N10D
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    59 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    25 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.75 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5.5 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • 最高 VGS
    30 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
IRFB59N10DPBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷，可降低开关损耗
  • 全面表征电容，包括有效功耗，以简化设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区