IRFB7440G

40V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用无铅无卤素 TO-220AB 封装
数据手册

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IRFB7440G
IRFB7440G
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    147 A
  • 最高 ID
    147 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    208 A
  • 最高 Ptot
    208 W
  • Qgd
    32 nC
  • QG
    90 nC
  • 最高 RDS (on)
    2.5 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.72 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 增强了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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