IRFB7730
在产
符合RoHS标准

IRFB7730

数据手册
封装

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IRFB7730
IRFB7730
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    195 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • Qgd
    79 nC
  • QG (typ @10V)
    271 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.6 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.7 V
  • VGS(th)
    2.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.19
推荐的
OPN
IRFB7730PBF
产品状态 active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 TO220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对 10 V 栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化
  • 针对低于 <100 kHz 开关应用进行了硅优化
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高电流承载能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
  • 可进行波峰焊
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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