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IRFH3702
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRFH3702

停产
采用 3mm X 3mm PQFN 封装的 30V 单 N 通道功率 MOSFET

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IRFH3702
IRFH3702


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    42 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.8 W
  • Qgd
    3.1 nC
  • QG (typ @4.5V)
    9.6 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.1 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    11.8 mΩ
  • 最高 RthJC
    6 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.35 V 至 2.35 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.2

OPN
IRFH3702TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用,包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装封装
  • 高 RDS(on) SuperSO8 封装的潜在替代品

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列,可直接替换
  • 外形小巧

应用

文档

设计资源

开发者社区