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IRFH4251D
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IRFH4251D

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25V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装
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IRFH4251D
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商品详情

  • 最高 ID
    188 A, 64 A
  • 最高 IDpuls
    750 A, 120 A
  • 最高 Ptot
    63 W, 31 W
  • Qgd
    15 nC, 3.8 nC
  • QG
    10 nC, 44 nC
  • 最高 RDS (on)
    3.2 mΩ, 0.85 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    4.6 mΩ, 1.1 mΩ
  • 最高 RthJA
    34 K/W, 35 K/W
  • Special Features
    Schottky (includes Schottky like and FETky)
  • 最低 Tj
    -55 °C, -55 °C
  • 最高 VDS
    25 V, 25 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • 极性
    N+N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRFH4251DTRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TISON-8
封装名 N/A
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TISON-8
封装名 -
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
MY
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产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 合格的工业
  • 合格的 MSL1
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 控制和同步 MOSFET 集成在一个封装中
  • 低充电控制MOSFET
  • 低导通电阻同步 MOSFET
  • Q2 上的低正向电压本征肖特基二极管
  • FastIRFET ™

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区