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已停产
符合RoHS标准

IRFH5110

停产
100V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 封装
数据手册

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IRFH5110
IRFH5110
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    63 A
  • Ptot max
    114 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.6 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    54 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    12.4 mΩ
  • RthJC max
    1.1 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    SuperSO8 5x6
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
  • Budgetary Price €/1k
    0.53
OPN
IRFH5110TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 5x6
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100 kHz 开关应用进行优化的硅片
  • 与上一代硅片相比，体二极管更软
  • 提供广泛的产品组合

产品优势

  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 行业标准资质等级
  • 低频应用中的高性能
  • 提高功率密度
  • 为设计人员提供灵活性，以选择最适合其应用的器件

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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