IRFH7187

100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 PQFN 5 x 6 B 封装。
数据手册

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IRFH7187
IRFH7187
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    105 A
  • ID max
    66 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    66 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    18 A
  • Ptot max
    132 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.8 W
  • Qgd
    11 nC
  • QG
    33 nC
  • RDS (on) max
    6 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    6 mΩ
  • RthJC max
    0.95 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 5 x 6 B
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 低 RDS(ON)（小于 0.6 毫欧姆）可降低传导损耗
  • 内部缓冲器可降低 Vds 尖峰并改善 EMI
  • PCB 热阻低（低于 0.95°C/W），可提高功率密度
  • 100% Rg 测试，可靠性更高
  • 低剖面（小于 1.05 毫米）可提高功率密度
  • 行业标准引脚排列提供多供应商兼容性
  • 与现有的表面贴装技术兼容，更易于制造
  • 环保 - 符合 RoHS 标准且不含卤素
  • 提高可靠性 - MSL1

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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