IRFH7882

采用 PQFN 5 x 6 F 封装的 80V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFH7882
IRFH7882

商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    26 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    180 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    114 A
  • ID max
    114 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    4 W
  • Ptot max
    195 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG
    49 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.1 mΩ
  • RDS (on) max
    3.1 mΩ
  • RthJC max
    0.64 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    80 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 5 x 6 F
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 低 RDS(ON)(小于 3.1 毫欧姆)可降低传导损耗
  • PCB 热阻低(小于 0.64°C/W),可提高功率密度
  • 100% Rg 测试,可靠性更高
  • 低剖面(小于 1.05 毫米)可提高功率密度
  • 行业标准引脚排列,提供多供应商兼容性
  • 与现有的表面贴装技术兼容,更易于制造
  • 环保 - 符合 RoHS 标准且不含卤素
  • 提高可靠性 - MSL1

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }