IRFH7911

IRFH7911

30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装
数据手册

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IRFH7911
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商品详情

  • 最高 ID (@ TA=70°C)
    23 A, 23 A
  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    28 A, 28 A
  • 最高 Ptot
    3.4 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    3.4 W
  • Qgd (typ)
    11 nC, 11 nC
  • QG
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3 mΩ, 3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    4 mΩ, 4 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    3 mΩ, 3 mΩ
  • 最高 RthJA
    37 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • 极性
    N+N, N+N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 100% Rg 测试
  • 低轮廓（小于 0.9 毫米）
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 控制和同步 MOSFET 集成在一个封装中
  • 低充电控制MOSFET
  • 低导通电阻同步 MOSFET
  • Q2 上的低正向电压本征肖特基二极管

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区