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符合RoHS标准
无铅

IRFH7911

停产
30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET,采用 PQFN 5mm x 6mm 无铅封装

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商品详情

  • ID (@ TA=70°C) max
    23 A, 23 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    28 A, 28 A
  • Ptot max
    3.4 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    3.4 W
  • Qgd (typ)
    11 nC, 11 nC
  • QG
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3 mΩ, 3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    4 mΩ, 4 mΩ
  • RDS (on) max
    3 mΩ, 3 mΩ
  • RthJA max
    37 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS max
    20 V
  • 封装
    PowerStage 5x6 (TISON-8)
  • 极性
    N+N, N+N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
IRFH7911TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 100% Rg 测试
  • 低轮廓(小于 0.9 毫米)
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 控制和同步 MOSFET 集成在一个封装中
  • 低充电控制MOSFET
  • 低导通电阻同步 MOSFET
  • Q2 上的低正向电压本征肖特基二极管

应用

文档

设计资源

开发者社区

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