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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRFHM792

停产
100V 双 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 PQFN 3.3x3.3封装
数据手册
封装

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IRFHM792
IRFHM792
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    4.8 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.3 W
  • Qgd (typ)
    1.3 nC
  • QG (typ @10V)
    4.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    195 mΩ
  • 最高 RthJA
    55 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 极性
    N+N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
IRFHM792TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PQFN 3.3X3.3 8L
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PQFN 3.3X3.3 8L
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装封装
  • 高 RDS(on) SuperSO8 封装的潜在替代品

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列，可直接替换
  • 外形小巧

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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