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IRFHM8326
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFHM8326

停产
采用 3.3mm X 3.3mm PQFN 封装的 30V 单 N 通道功率 MOSFET
封装
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IRFHM8326
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    70 A
  • 最高 Ptot
    37 W
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.8 W
  • Qgd
    6.5 nC
  • QG (typ @4.5V)
    20 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.7 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    6.7 mΩ
  • 最高 RthJC
    3.4 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.19
OPN
IRFHM8326TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PQFN 3.3X3.3 8L
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PQFN 3.3X3.3 8L
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 针对 5 V 栅极驱动电压进行了优化
  • 行业标准表面贴装电源
  • SuperSO8 封装的替代方案

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 5V 栅极驱动能力
  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 小尺寸

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区