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IRFHM8363
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRFHM8363

停产
30V 双 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 PQFN 3.3mm x3.3mm 无铅封装
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封装
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IRFHM8363
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商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    11 A, 11 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.7 W
  • Qgd (typ)
    2 nC
  • QG
    15 nC
  • 最高 RDS (on)
    14.9 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    20.4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    14.9 mΩ
  • 最高 RthJA
    47 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    30 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 极性
    N+N, N+N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRFHM8363TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PQFN 3.3X3.3 8L
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
IL
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PQFN 3.3X3.3 8L
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
IL
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产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 低轮廓（小于 1.1 毫米）
  • 行业标准引脚排列
  • 与现有的表面贴装技术兼容
  • 合格的 MSL1
  • 双 N 沟道 MOSFET

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区