IRFI4019HG-117P

150V 双 N 通道数字音频 HEXFET 功率 MOSFET，采用 TO-220 全封装（Iso）无铅无卤素封装
数据手册

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IRFI4019HG-117P
IRFI4019HG-117P
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商品详情

  • ID (@ TA=25°C) max
    8.7 A, 8.7 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    6.2 A, 6.2 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    18 W
  • Qgd (typ)
    3.9 nC
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) max
    95 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    95 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    TO-220 FullPAK
  • Polarity
    N+N, N+N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 集成半桥封装
  • 针对 D 类音频放大器应用进行了优化
  • 低 Qrr 可实现更佳的 THD 和更高的效率
  • 低 Qg 和 Qsw，可改善 THD 并提高效率

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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