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IRFI4110G
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IRFI4110G

停产
采用 TO-220 FullPak 封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装
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IRFI4110G
IRFI4110G
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    72 A
  • 最高 Ptot
    61 W
  • Qgd
    49 nC
  • QG (typ @10V)
    190 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    2.46 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.68
OPN
IRFI4110GPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
FULLPAK220
封装名 TO-220 FullPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对分销合作伙伴最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 针对低于 <100kHz 开关应用进行了硅片优化
  • 隔离封装

产品优势

  • 分销合作伙伴广泛供应
  • 行业标准资质水平
  • 低频应用中的高性能
  • 无需绝缘硬件

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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