IRFI4212H-117P
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IRFI4212H-117P

采用 TO-220 全封装 (Iso) 的 100V 双 N 通道数字音频功率 MOSFET
数据手册
封装
查看产品系列

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFI4212H-117P
IRFI4212H-117P
查看产品系列
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    11 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    18 W
  • Qgd (typ)
    6.2 nC
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    72.5 mΩ
  • 最高 RthJA
    65 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    TO-220 FullPAK
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N+N
  • 预算价格€/1k
    0.69

OPN
IRFI4212H-117PXKMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TO220
封装名 FullPAK-220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
TW
查看产品系列

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TO220
封装名 FullPAK-220
封装尺寸 1000
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
TW
查看产品系列
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。

特性

  • 集成半桥封装
  • 针对 D 类放大器优化的关键参数
  • 低 RDS(ON)、Qg 和 Qsw
  • 低 Qrr，可实现更佳的 THD
  • 无铅封装

产品优势

  • 零件数量减少 50%，PCB 布局更简便
  • 半桥式，每通道 50W
  • 高效率和 THD
  • 低 EMI
  • 环保

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区