现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRFI4212H-117P

采用 TO-220 全封装 (Iso) 的 100V 双 N 通道数字音频功率 MOSFET
数据手册
封装
每件.
有存货

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IRFI4212H-117P
IRFI4212H-117P
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    11 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    18 W
  • Qgd (typ)
    6.2 nC
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    72.5 mΩ
  • RthJA max
    65 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    TO-220 FullPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    N+N
  • Budgetary Price €/1k
    0.69
受到推崇的
OPN
IRFI4212H-117PXKMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
TO220
封装名 FullPAK-220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TO220
封装名 FullPAK-220
包装尺寸 1000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
StrongIRFET ™功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。该设备非常适合需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和直流-直流转换器。

特性

  • 集成半桥封装
  • 针对 D 类放大器优化的关键参数
  • 低 RDS(ON)、Qg 和 Qsw
  • 低 Qrr，可实现更佳的 THD
  • 无铅封装

产品优势

  • 零件数量减少 50%，PCB 布局更简便
  • 半桥式，每通道 50W
  • 高效率和 THD
  • 低 EMI
  • 环保

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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