IRFI4510G

TO-220AB FullPak 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFI4510G
IRFI4510G
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    35 A
  • Ptot max
    42 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    54 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    13.5 mΩ
  • RthJC max
    3.6 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-220 FullPAK
  • Polarity
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 增强了门极、雪崩和动态 dV/dt 的耐用性
  • 全面表征电容和雪崩 SOA
  • 增强型体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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