IRFN150
现货，推荐

IRFN150

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRFN150
IRFN150
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@100°C)
    21 A
  • 最高 ID (@25°C)
    34 A
  • QPL部件号
    2N7224U
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    81 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    100 V
  • 封装
    SMD-1
  • 极性
    N
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
IRFN150EPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
封装尺寸 1
封装类型 TRAY
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRFN150 是一款采用 SMD-1 封装的高可靠性、100V、单 N 沟道 MOSFET。它利用 HEXFET MOSFET 技术实现低导通电阻、高跨导以及卓越的反向能量和二极管恢复 dv/dt 能力。非常适合电源、电机控制、斩波器、音频放大器和其他高能脉冲电路应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区