IRFP044N

IRFP044N

采用 TO-247AC 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRFP044N
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数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    53 A
  • 最高 Ptot
    100 W
  • Qgd
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    40.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    20 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.5 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    55 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

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