IRFP048N

采用 TO-247AC 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFP048N
IRFP048N

商品详情

  • ID (@25°C) max
    64 A
  • Ptot max
    130 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    59.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    16 mΩ
  • RthJC max
    1.2 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C

应用

文档

设计资源

开发者社区

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