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IRFP3415
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFP3415

停产
采用 TO-247 封装的 150V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFP3415
IRFP3415
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    43 A
  • 最高 Ptot
    200 W
  • Qgd
    65.3 nC
  • QG (typ @10V)
    133.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    42 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.75 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1
OPN
IRFP3415PBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
TO247
封装名 TO247
封装尺寸 400
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 符合 JEDEC 的产品认证
  • 针对应用进行了优化的硅片
  • 行业标准通孔电源
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 广泛分布
  • 行业标准资质水平
  • 高性能、低频率
  • 标准引脚排列的直接替换
  • 高载流能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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