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IRFR120Z
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFR120Z

停产
采用 D-Pak 封装的 100V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFR120Z
IRFR120Z
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    8.7 A
  • 最高 Ptot
    35 W
  • Qgd
    3.1 nC
  • QG (typ @10V)
    6.9 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    190 mΩ
  • 最高 RthJC
    4.28 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.16

OPN
IRFR120ZTRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
TW

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
TW

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区