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停产
已停产
符合RoHS标准

IRFR13N20D

停产
采用 D-Pak 封装的 200V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRFR13N20D
IRFR13N20D
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    13 A
  • Ptot max
    110 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    25 nC
  • RDS (on) (typ @10V) max
    235 mΩ
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
OPN
IRFR13N20DTRPBF IRFR13N20DPBF
产品状态 discontinued obsolete
英飞凌封装名称
DPAK
DPAK
封装名 DPAK DPAK
包装尺寸 2000 3000
包装类型 TAPE & REEL TUBE
湿度 1 N/A
防潮包装 NON DRY NON DRY
无铅 No No
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
包装尺寸 3000
包装类型 TUBE
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷，可降低开关损耗
  • 全面表征电容，包括有效功耗，以简化设计

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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