IRFR2607Z
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRFR2607Z

采用 D-Pak 封装的 75V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
封装
每件.
有存货

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IRFR2607Z
IRFR2607Z
每件.

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    45 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    22 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.38 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.49
OPN
IRFR2607ZTRPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货

应用

文档

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