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IRFR3504Z
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFR3504Z

停产
采用 D-Pak 封装的 40V 单 N 沟道功率 MOSFET
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封装
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IRFR3504Z
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    77 A
  • 最高 Ptot
    90 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    9 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.66 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.47

OPN
IRFR3504ZTRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
GB,TW
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
DPAK
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
GB,TW
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StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准表面贴装封装
  • 针对开关频率 <100kHz
进行了硅片优化

产品优势

  • 广泛分布
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列的直接替换
  • 高性能、低频率

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区