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IRFR825
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IRFR825

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采用 D-Pak 封装的 500V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFR825
IRFR825


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    6 A
  • 最高 IDpuls
    24 A
  • 最高 Ptot
    119 W
  • Qgd
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    24 nC
  • QG
    24 nC
  • 最高 RDS (on)
    1300 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.05 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    500 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    DPAK (TO-252)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
IRFR825TRPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 DPAK
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

应用

文档

设计资源

开发者社区