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IRFS3207
停产
已停产
符合RoHS标准

IRFS3207

停产
采用 D2-Pak 封装的 75V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装
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IRFS3207
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    170 A
  • 最高 Ptot
    330 W
  • Qgd
    68 nC
  • QG (typ @10V)
    180 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.5 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.45 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    75 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    1.11
OPN
IRFS3207TRLPBF
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 针对最广泛的可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 认证
  • 行业标准表面贴装封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 分布广泛
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列的直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区