IRFS33N15D

采用 D2-Pak 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFS33N15D
IRFS33N15D

商品详情

  • ID (@25°C) max
    33 A
  • Ptot max
    3.8 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    56 mΩ
  • RthJC max
    0.9 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 行业领先的品质
  • 全面表征雪崩电压和电流
  • 低栅极至漏极电荷,可降低开关损耗
  • 全面表征电容,包括有效功耗,以简化设计

应用

文档

设计资源

开发者社区

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