IRFS4115
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IRFS4115

采用 D2-Pak 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
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封装
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IRFS4115
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    99 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    77 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12.1 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 蓄电池电压
    72-96 V

OPN
IRFS4115TRLPBF
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN,MX
晶圆产地
DE,GB,KR,TW
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
D2PAK
封装名 D2PAK
封装尺寸 800
封装类型 TAPE & REEL LEFT
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN,MX
晶圆产地
DE,GB,KR,TW
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应用

文档

设计资源

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