IRFSL3006

采用 TO-262 封装的 60V 单 N 沟道功率 MOSFET
数据手册

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IRFSL3006
IRFSL3006
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    270 A
  • Ptot max
    375 W
  • Qgd
    60 nC
  • QG (typ @10V)
    200 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.5 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    3.11
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高电流承载能力封装

产品优势

  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 提高载流能力

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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