IRFSL4115

IRFSL4115

采用 TO-262 封装的 150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFSL4115
IRFSL4115


商品详情

  • 最高 ID (@ TC=100°C)
    70 A
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    99 A
  • 最高 ID
    70 A
  • 最高 Ptot
    375 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG
    77 nC
  • 最高 RDS (on)
    12.1 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    12.1 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    150 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区