IRFU6215
已淘汰
符合RoHS标准

IRFU6215

-150V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 I-Pak 封装
数据手册
封装

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IRFU6215
IRFU6215
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -13 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • Qgd
    23.3 nC
  • QG (typ @10V)
    44 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    580 mΩ
  • 最高 RthJC
    1.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    -150 V
  • VGS(th) 范围
    -2 V 至 -4 V
  • VGS(th)
    -3 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    IPAK (TO-251)
  • 极性
    P

OPN
IRFU6215PBF
产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
IPAK
封装名 IPAK
封装尺寸 3000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
晶圆产地
US

产品状态 obsolete
英飞凌封装名称
IPAK
封装名 IPAK
封装尺寸 3000
封装类型 TUBE
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
晶圆产地
US

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt
  • 额定值 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C
  • P沟道MOSFET

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区