IRFZ24NS

采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRFZ24NS
IRFZ24NS

商品详情

  • ID max
    12 A
  • ID (@ TC=25°C) max
    17 A
  • ID (@ TC=100°C) max
    12 A
  • Ptot max
    45 W
  • Qgd
    5.1 nC
  • QG
    13.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    70 mΩ
  • RDS (on) max
    70 mΩ
  • RthJC max
    3.3 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS max
    20 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Polarity
    N
  • Moisture Sensitivity Level
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt 额定值
  • 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C

应用

文档

设计资源

开发者社区

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