IRFZ46NS

采用 D2-Pak 封装的 55V 单 N 通道功率 MOSFET

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IRFZ46NS
IRFZ46NS

商品详情

  • ID (@25°C) max
    53 A
  • Ptot max
    120 W
  • Qgd
    17.3 nC
  • QG (typ @10V)
    48 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    16.5 mΩ
  • RthJC max
    1.3 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    55 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 预算价格€/1k
    0.6
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

特性

  • 适用于宽 SOA 的平面单元结构
  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 行业标准表面贴装功率封装
  • 高额定电流

产品优势

  • 增强坚固性
  • 多供应商兼容性
  • 行业标准资质水平
  • 标准引脚排列允许直接替换
  • 高电流承载能力

应用

文档

设计资源

开发者社区

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