IRHC63130CDV
现货，推荐
符合RoHS标准

IRHC63130CDV

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IRHC63130CDV
IRHC63130CDV

商品详情

  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    100 V
  • 产品组
    Rad hard power MOSFET
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHC63130CDV 是采用裸片封装的 100V 抗辐射 MOSFET。该 R6 代器件的电气性能高达 300 kRad(Si)，并经过 100% 的芯片目视检查。

应用

文档

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