IRHE7110
现货，推荐

IRHE7110

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHE7110
IRHE7110
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    600 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    18-pin LCC
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHE7110 是一款 100V、3.5A 抗辐射单 N 沟道 MOSFET，采用 IR HiRel R4 HEXFET 技术，已在卫星平台和有效载荷系统中证明了其高性能。该 COTS 设备采用表面贴装 18 引脚封装，电气性能高达 100krad（Si）。SEE 经过硬化处理，性能可达 100 krad(Si) TID。隔离式 DC-DC 转换器、电力推进、热管理和电机驱动器的理想选择。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区