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IRHE7110

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IRHE7110
IRHE7110

商品详情

  • ESD Class
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    2.2 A
  • ID (@25°C) max
    3.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    600 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.4 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    18-pin LCC
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
  • Configuration
    Discrete
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 LCC-18 MOSFET
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHE7110 是一款 100V、3.5A 抗辐射单 N 沟道 MOSFET,采用 IR HiRel R4 HEXFET 技术,已在卫星平台和有效载荷系统中证明了其高性能。该 COTS 设备采用表面贴装 18 引脚封装,电气性能高达 100krad(Si)。SEE 经过硬化处理,性能可达 100 krad(Si) TID。隔离式 DC-DC 转换器、电力推进、热管理和电机驱动器的理想选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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