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IRHF67230

数据手册
封装

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IRHF67230
IRHF67230
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    5.7 A
  • ID (@25°C) max
    9.1 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    145 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHF67230 R6 N 沟道 MOSFET 是一种用于空间应用的抗辐射设备。其额定电压为 200V，额定电流为 9.1A，具有高性能、低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。其电气稳定性高达 100krad(Si) TID 分类，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }