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IRHF7130

数据手册
封装

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IRHF7130
IRHF7130
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    5 A
  • ID (@25°C) max
    8 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7261
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 R4 技术的 IRHF7130 在 TO-205AF 封装中提供高性能、抗辐射 N 沟道 MOSFET。该器件额定电压为 200V，栅极阈值为 3.5V，非常适合空间应用，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关过程中的功率损耗。其电性能特点是TID高达100krad(Si)，LET高达90MeV·cm2/mg，同时保留了MOSFET的优点。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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