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IRHG567110

数据手册
封装

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IRHG567110
IRHG567110
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1A
  • ID (N-CH @100°C) max
    1 A
  • ID (N-CH @25°C) max
    0.29 A
  • ID (P-CH @100°C) max
    -0.6 A
  • ID (P-CH @25°C) max
    -0.96 A
  • RDS (on) (N-CH @25°C) max
    290 mΩ
  • RDS (on) (P-CH @25°C) max
    960 mΩ
  • VBRDSS min
    100 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    300
  • Package
    MO-036AB
  • Polarity
    2N / 2P
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V, 100 V
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE, SPICE
  • Configuration
    Quad
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual SB - Quad
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual SB - Quad
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHG567110 是一款 R5、抗辐射、100V 双 2N/2P 通道 MOSFET，采用 MO-036AB 封装。该 MOSFET 的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。

应用

文档

文档

设计资源

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