IRHG9110SCS
现货，推荐

IRHG9110SCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHG9110SCS
IRHG9110SCS
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (P-CH @100°C)
    -0.5 A
  • 最高 ID (P-CH @25°C)
    -0.75 A
  • QG
    15 nC
  • 最高 RDS (on) (P-CH @25°C)
    1100 mΩ
  • 最低 VBRDSS
    100 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    MO-036AB
  • 极性
    P
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Quad

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual SB - Quad
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-DIP-14
封装名 14 Pin Dual SB - Quad
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHG9110SCS 是采用 MO-036AB 封装的 R4、抗辐射、-100V 四 P 通道 MOSFET。该MOSFET的电气性能高达100krad(Si) TID和QIRL分类。该器件具有低 RDS(on) 和低总栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用。MOSFET 具有开关速度快、温度稳定等优点，可靠地适用于太空应用。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区