现货，推荐

IRHLNJ77034

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLNJ77034
IRHLNJ77034
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    20 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    34 nC
  • QPL部件号
    2N7606U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 SMD-0.5 封装的 IRHLNJ77034 N 沟道 MOSFET 是一款抗辐射的单个器件，额定电压为 60V，额定电流为 22A。其提供高达 300krad(Si) TID 的电气性能。该 COTS 部件适用于空间应用。由于具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制器。MOSFET 还提供电压控制、快速开关和电气参数的温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }