现货，推荐

IRHLNM73110SCS

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHLNM73110SCS
IRHLNM73110SCS
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    4.1 A
  • ID (@25°C) max
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    290 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1
  • Qualification
    QIRL
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNM73110SCS R7 MOSFET 是一款抗辐射单 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，额定电流为 6.5A。它采用 SMD-0.2封装，电气性能高达 300krad(Si) TID，符合 QIRL 空间分类。它设计用于辐射环境，并将阈值电压保持在可接受的范围内，同时提供对单事件栅极破裂和烧毁的免疫力。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }