IRHLNM77110SCV
不建议用于新设计

IRHLNM77110SCV

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNM77110SCV
IRHLNM77110SCV
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    4.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    6.5 A
  • QG
    11 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    290 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLNM77110SCV R7 逻辑电平功率 MOSFET 是符合 QIRL 标准的抗辐射 N 沟道 MOSFET，可处理高达 100V 和 6.5A 的电压和电流。它采用紧凑的 SMD-0.2 封装，并提供了在辐射环境中与 CMOS 和 TTL 控制电路接口的解决方案。即使暴露于高达 100krad(Si) TID 的辐射后，该器件的阈值电压仍保持在工作限值内，并且能够抵抗单粒子栅极破裂和烧毁。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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