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IRHLNM7S3214
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IRHLNM7S3214
IRHLNM7S3214
  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHLNM7S3214 R7 逻辑电平功率 MOSFET 是一款抗辐射、单 N 通道 MOSFET,采用 SMD-0.2可处理 250V 和 3.2A 的封装。它为将 CMOS 和 TTL 电路连接到空间和辐射环境中的电源设备提供了一个简单的解决方案。即使在暴露于高达 300krad(Si) TID 的辐射后,它仍能将其阈值电压保持在可接受的工作限度内,同时不受单粒子栅极破裂和烧毁的影响。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }