不建议用于新设计

IRHLNM7S3214

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNM7S3214
IRHLNM7S3214
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1100 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNM7S3214 R7 逻辑电平功率 MOSFET 是一款抗辐射、单 N 通道 MOSFET，采用 SMD-0.2可处理 250V 和 3.2A 的封装。它为将 CMOS 和 TTL 电路连接到空间和辐射环境中的电源设备提供了一个简单的解决方案。即使在暴露于高达 300krad(Si) TID 的辐射后，它仍能将其阈值电压保持在可接受的工作限度内，同时不受单粒子栅极破裂和烧毁的影响。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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