不建议用于新设计

IRHLNM7S7214

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHLNM7S7214
IRHLNM7S7214
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    2 A
  • ID (@25°C) max
    3.2 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1100 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLNM7S7214 MOSFET 是单 R7 N 沟道器件，最大额定电压为 250V，额定电流为 3.2A。它专为太空和其他辐射环境而设计，具有防辐射结构，电气性能高达 100krad(Si) TID。该 COTS MOSFET 具有单粒子栅极破裂和烧毁免疫力，同时在整个温度和辐射范围内保持可接受的工作极限。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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