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IRHLUB7970Z4

数据手册
封装

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IRHLUB7970Z4
IRHLUB7970Z4
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    -0.33 A
  • ID (@25°C) max
    -0.53 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7626UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    1300 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    P
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-4
封装名 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-4
封装名 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLUB7970Z4 是一款 R7、抗辐射、-60V、-0.53A、单个 P 通道 MOSFET，采用 UB 封装。它可以在辐射环境中运行，电气性能高达 100krad(Si) TID，并且对单粒子栅极破裂和烧毁具有免疫力。它适用于连接各种设备，在工作温度范围内保持可接受的阈值电压。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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