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IRHLUBCN770Z4

数据手册
封装

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IRHLUBCN770Z4
IRHLUBCN770Z4
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 0
  • ID (@100°C) max
    0.5 A
  • ID (@25°C) max
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL Part Number
    2N7616UBC
  • RDS (on) (@25°C) max
    680 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    UBC
  • Polarity
    N
  • Generation
    R7
  • Voltage Class
    100 V, 100 V
  • Die Size
    Z
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE, SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3 Ceramic lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3 Ceramic lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHLUBCN770Z4 R7 N沟道MOSFET是针对太空和恶劣环境下的功率器件的抗辐射解决方案。其额定电压为 60V，额定电流为 0.8A，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能，该 COTS 部件采用紧凑型 UBC 封装。该单 N 通道 MOSFET 非常适合与由 3.3-5V 电源操作的逻辑门和微控制器连接。它保持了单粒子门破裂和烧毁免疫力。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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