IRHLUBN7970Z4
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IRHLUBN7970Z4

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IRHLUBN7970Z4
IRHLUBN7970Z4
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • 最高 ID (@100°C)
    -0.33 A
  • 最高 ID (@25°C)
    -0.53 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7626UB
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1300 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • 最高 VF
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    P
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHLUBN7970Z4 是一款采用 UB 封装的抗辐射、60V、0.8A、单 N 通道 MOSFET。这款 R7 QIRL 设备经过 SEE 硬化处理，TID 额定值高达 100 krad（Si）TID，非常适合空间应用，包括用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的 PoL 转换器、配电电路、同步整流等。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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