IRHM7360SE
现货，推荐

IRHM7360SE

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHM7360SE
IRHM7360SE
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    14 A
  • 最高 ID (@25°C)
    22 A
  • QG
    185 nC
  • QPL部件号
    2N7391
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-254AA
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHM7360SE 是一款专为空间应用而设计的高性能功率 MOSFET。其电压为 400V，电流为 22A，电气性能高达 100krad(Si) TID。它采用 IR HiRel 技术制造，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，属于 COTS 类。由于功率损耗低、开关速度快，它非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区