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IRHMB57Z60

数据手册
封装

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IRHMB57Z60
IRHMB57Z60
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    4.5 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-254AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHMB57Z60 R5 抗辐射 N 沟道 MOSFET，采用 TO-254AA 无凸缘低欧姆封装，具有 45A 和 30V 能力。凭借高达 100krad（Si）的 TID 公差和 COTS 分类，它在太空和卫星应用中具有出色的性能和可靠性。其低 RDS(on) 和栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择，同时保留了 MOSFET 的优点，如电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

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设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }